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                怎樣為電源開關設計選擇最佳MOSFET
                MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)主要用于開關應用中,具有高電壓和高電流的特點。它們具有更高的效率和更優良的高速開關能力,因此成為電源設計中的最佳選擇。我們來看一些篩選標準,以便為電力電子解決方案選擇合適的MOSFET。
                邏輯開關的行為參數
                不管給定項目使用什么邏輯(和模擬)電平,都會有不同的閾值來清楚地判定設備的飽和或關斷。換句話說,這些值精確地定義了邏輯電平在高或低時的操作。通常,在高低電平之間需要一個過渡區域,以確保兩電平之間的過渡不會太突然。如圖1所示,該區域被定義為“非法”或“不確定”區域。
                通常,最小柵極電壓(對于5V正邏輯)在0.5V至1V之間。那些高于最大閾值的柵極電壓會導通MOSFET。在最小柵極電壓的最高點和最大柵極電壓的最低點之間的電壓可能讓MOSFET或導通或關斷。因此必須避免達到些電壓值,它們表示著MOSFET處在不確定區域,并且無法預測MOSFET的性能。因此,有必要在設計新系統的邏輯之前研究每個器件的柵極工作狀況。在圖2中,您可以看到一個經典的電路圖,該圖提供了一個用96 V電壓供電的8Ω負載。在這種情況下,MOSFET用作電子開關,并且可以通過合適的電源驅動 “柵極”來激活。對于UnitedSiC UF3C065080T3S,能夠提供給“柵極”的電壓范圍為–25 V至25V。



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